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原创 免费试用·罗姆评估板

罗姆SiC MOSFET 评估板P02SCT3040KR-EVK-001开箱

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xuyapple
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本网技师
  • 2020-9-1 10:20:22
感激罗姆和21哇哈足球提供的机缘,有幸申请到P02SCT3040KR-EVK-001评估板,实在道歉,足球社区。没有第一时间发开箱照,这两天有点事。


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包装挺厚实大气

包装挺厚实大气

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正面的评估板信息

正面的评估板信息

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防静电袋装着

防静电袋装着

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附送了4颗SiC器件

附送了4颗SiC器件

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评估板正面照,高压电容很大个

评估板正面照,高压电容很大个

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评估板后头照,各个区域都有隔开

评估板后头照,各个区域都有隔开
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xuyapple
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本网技师
  • 2020-9-20 23:32:26
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之前没奈何用过碳化硅的器件,了解下评估版的驱动机能和碳化硅器件的开关特性,足球社区。所以先用TO247-3封装的SCT3040KL测试下双脉冲。
SCT3040KL的规格书中给出的Vgs电压畛域是+22V/-4V,商讨到关断的信得过真实性,足球社区。推荐的Vgs电压是+18V/0V。
对待1200V的碳化硅器件,是以只须要为下管提供双脉冲驱动信号,第一足球网论坛。是以选用800V/20A的电压电流规格对器件举办双脉冲测试。球迷007足球论坛。评估板中的上管使用1200V的碳化硅二极管,而且规格书中的一些参数均是在20A下的情况,典型的应用电压等级为800V。

CH1:Vgs(3V/div),CH4:最火的足彩论坛。Vds(110V/div),CH2:Is(4A/div)。

CH1:Vgs(3V/div)驱动开明时间235ns左右,零电流封闭,M1:足球论坛哪个火。Vds*Is,无明显震动和负压,CH4:足球吧论坛。Vds(110V/div)电压从800V平滑下降到0V,CH2:Is(4A/div),驱动电阻还可能调小点,有明显的米勒平台,无过冲。

CH1:Vgs(3V/div)驱动关断时间90ns左右,M1:足球社区。Vds*Is由于双脉冲有必然的软关特性,峰值大约900V,罗姆SiCMOSFET足球社区评价板P02SCT3040KR。CH4:Vds(110V/div)电压从0V上升到800V后有必然震动,EVK。对关断损耗会有影响,CH2:Is(4A/div)电流从20A下降到0A的速度不是很线性,有必然米勒平台和较小震动。

CH1:Vgs(3V/div)驱动开明时间280ns左右,双脉冲的大电流硬开特性使得开明损耗比关断损耗大得多,M1:001开箱。Vds*Is,在下降经过有屡次震动情况,电压下降并不是很平滑,明白电源技术。CH4:Vds(110V/div)大电流的封闭经过,并有较大过冲和震动,哇哈足球论坛。CH2:Is(4A/div)电流在器件封闭经过中从0A迅速上升到20A,对驱动也会有必然的扰乱,封闭经过电流从0A迅速上升到20A,而且在米勒平台处有较大过冲和震动,比第一个封闭的大。
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xuyapple
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本网技师
最新回复
  • 2020-9-24 22:11:57
  • 倒数1
接下来使用TO247-4封装的SCT3040KR器件,搭建高压同步整流Buck电路,sicmosfet。用半桥评估板加上功率电感和电解电容。

SCT3040KR采东西有开尔文源极的TO247-4L封装,消沉驱动栅极的震动,足球。减小功率回路对驱动回路的扰乱,社区。开尔文源极可能大大减小驱动回路和功率回路的共源电感。

P02SCT3040KR-EVK-001评估板兼容了TO247-3和TO247-4器件,这次测试依传说明书的参考引线形式装配TO247-4的SCT3040KR器件,评价。可能特地便利地评估两种封装形式的器件的开关特性。

如上图所示为使用评估板和SiC器件,输出负载电流 Io = 2A,上下管的占空比D = 50%,p02sct3040kr-evk-001。测试的条件为:Vin = 500Vdc,p02sct3040kr。商讨到器件的功耗和温升,使用+18V/0V驱动SCT3040KR。evk。由于目前散热器规格不够,使用电流探头丈量电感电流IL。开箱。为了考量TO247-4的开尔文驱动的特性,使用两个高压差分探头丈量上下管的Vds信号,使用非隔离探头丈量下管的Vgs信号,220uF)搭建的高压同步整流Buck电路,加上功率电感(300uH)和电解电容(600V。

CH1:Vgs(4V/div)。 CH3:VdsH(100V/div), CH4:VdsL(100V/div)

CH1:Vgs(4V/div)下管驱动关断时间为47.4ns,技术。上管属于硬开明,在上管开明后电流探头丈量到的电感电流有较大的震动情况,足球。电路根基在临近连续或轻微断续形态,可能信得过真实关断;CH2:论坛。IL(2A/div)功率电感取值较小,未抵达阈值电压,下管的Vgs有必然小的扰乱震动,上管开明,下管关断后经过300ns,无负向过冲和震动;上下管的驱动死区时间依据评估板的预设值300ns。 CH3:VdsH(100V/div), CH4:VdsL(100V/div)在上管开明经过,下管的Vds电压有较大过冲,罗姆SiCMOSFET足球社区评价板P02SCT3040KR。上下管的Vds电压变化率诀别为17.4V/ns、24.4V/ns。

CH1:Vgs(4V/div) 下管驱动开明时间为55.0ns 无过冲和震动,可能看到驱动开明前其Vds电压曾经降为0V,Buck中下管为软开关。 CH2:IL(2A/div)电感电流较小。 CH3:VdsH(100V/div), CH4:VdsL(100V/div)由于下管是软开关,001开箱。上管的Vds电压峰值为531V,明白电源技术。诀别为5.60V/ns和5.55V/ns,上下管的Vds电压变化率明显小很多。

由于使用的散热器规格较小,管事不长时间温度就抵达133.4℃,哇哈足球论坛。温升情况对比恶毒,半桥电路中的上管硬开关管事,足球。而且电路参数和形态未举办优化,不够以满足SiC器件的散热需求,同时加了较厚的导热硅脂。
由于企图不够充斥,让我们能够更深入地了解SiC器件的特性,提供了P02SCT3040KR-EVK-001评估板,社区。同时特地感激罗姆和哇哈足球提供的机缘,希望后续能够对SiC器件和评估板举办更全面的测试、评估,未能加倍详明地测试、评估SiC器件和评估板的特性、机能情况。
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